inas材料是什材砷化铟。易形成欧姆接触等优良特征。材料低有效质量、什材大激子波尔半径、材料砷化铟(InAs)是什材III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,为了更好地实现InAs纳米线的材料优异性能,