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时间:2024-03-29 04:05:21 来源:网络整理编辑:娱乐
inas材料是砷化铟。砷化铟InAs)是III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,具有高电子迁移率、低有效质量、大激子波尔半径、易形成欧姆接触等优良特征。为了更好地实现InAs纳米线的优异性
inas材料是材料砷化铟。为了更好地实现InAs纳米线的什材优异性能,砷化铟(InAs)是材料III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,
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